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小角中子散射技术及其在大分子结构表征中的应用
发布者:admin  发布时间:[2019-03-15 3:21:18]    [返回上一页]
 


   小角散射方法,包括小角光散射(SLS)、小角 X 射线散射(SAXS)和小角中子散射(SANS)在表征物质内部纳米到亚微米特征结构方面发挥着不可替代的作用。其中SANS以其特有的氢氘替代和衬度匹配技术,在大分子微观结构表征方面发挥着其独特的作用。通过对特定散射体进行同位素标记和对分散剂进行衬度调节实现多相多尺度体系微观图像的构筑。

   程贺研究员在特约综述中通过对比各类散射方法,系统评述了小角中子散射(SANS)的特点和实验技术以及作为一种独特的散射方法在高分子科学和相关工业领域中的应用。该论文首先通过各种散射方法的对比说明小角中子散射的衬度来源、同位素识别和能够表征的特征尺度范围;接着简要叙述了小角中子散射的基本原理、谱仪类型、基本实验过程和实验方法;最后通过实例分析说明小角中子散射技术在大分子相关领域中的应用。文章结合高分子物理教科书中的论述和近期国内外相关研究进展,简要综述了小角中子散射技术高分子溶液、高分子共混物复合材料、高分子结晶、凝胶、多孔材料、生物大分子等研究领域的典型应用。随着我国三大中子源对外开放和多台小角谱仪相继建设完成,将进一步扩展我国的 SANS 用户群体,推动这一技术在基础研究、应用研究和产业领域的广泛应用。

 
 
 
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